基于Optilever激光掃描技術(shù)。 

使用應(yīng)力控制，避免薄膜分層，形成凹凸?fàn)睢?nbsp;
光學(xué)設(shè)計(jì)減少圖形襯底對(duì)激光的干涉。 在TSV, 半導(dǎo)體以及LED工藝上控制基底彎度。 
在平板顯示行業(yè)，控制玻璃的平整度 
LED行業(yè)中, 可分析藍(lán)寶石或碳化硅裸片的BOW/ WARP, 以及LED制程中不同薄膜造成的應(yīng)力
在20米曲率的標(biāo)準(zhǔn)片上，重復(fù)性少于0.01公差。 
雙波長(zhǎng)激光設(shè)計(jì), 如某一波長(zhǎng)激光在樣本反射度不足，系統(tǒng)會(huì)自動(dòng)使用另一波長(zhǎng)激光進(jìn)行掃瞄，滿足不同材料的應(yīng)用 
全自動(dòng)平臺(tái)，可以進(jìn)行2D及3D掃瞄 
相同產(chǎn)品中提供數(shù)據(jù)點(diǎn)：每英寸可測(cè)1000點(diǎn)，平均每晶圓超過32線。 
提供3D應(yīng)力分布圖。 
擁有三維應(yīng)力分布圖和大量的數(shù)據(jù)點(diǎn)使用戶能夠檢測(cè)局部的應(yīng)力變化。 
500 及 900°C高溫或-50°C低溫型號(hào)可選 
熱解析光譜分析可選。 
樣品臺(tái)可通用于2至8寸基底, 另備有可容納450mm直徑或370 X 470mm樣本的型號(hào) 
多種型號(hào)以供選擇:
手動(dòng)上下片)
自動(dòng)上下片(Cassette to cassette, C2C) 
可添加并整合于多腔式集束型架構(gòu)設(shè)備(cluster tool)