參考價(jià) | 面議 |
產(chǎn)品詳情
原子力顯微鏡探針(AFM探針),是原子力顯微鏡(AFM)設(shè)備非常重要的配件耗材之一。我司提供的布魯克AFM探針具有多種款式和型號(hào),能夠滿足多種應(yīng)用領(lǐng)域中的原子力顯微鏡(AFM)解決方案。
在實(shí)驗(yàn)中,用戶所得到的數(shù)據(jù)通常取決于探針的質(zhì)量和探針的重復(fù)性。布魯克的探針具有嚴(yán)格的納米加工控制和質(zhì)量測(cè)試,具備AFM領(lǐng)域的專業(yè)背景,不僅能夠?yàn)楫?dāng)前的應(yīng)用提供測(cè)試結(jié)果,同時(shí)也能為將來的研究提供參考數(shù)據(jù)。
目前,布魯克原子力顯微鏡(AFM)已被廣泛應(yīng)用于生命科學(xué)、材料科學(xué)、半導(dǎo)體、電化學(xué)等領(lǐng)域的納米技術(shù)研發(fā),應(yīng)用廣泛,因此所配套的探針種類也在不斷增加,為了幫助客戶能夠便捷的選擇出適合測(cè)量需求的探針型號(hào),可通過以下的探針選型指南來更快速的找到更適合的探針類型。
原子力顯微鏡探針(AFM探針)常用型號(hào)一覽
材料樣品 | |||
大氣環(huán)境 | 液下環(huán)境 | ||
智能成像 | 高分辨 | SCANASYST-AIR SCANASYST-AIR-HPI | SCANASYST-FLUID+ SNL-10 |
一般成像 | DNP-10 | SCANASYST-FLUID DNP-10 | |
輕敲模式 | 較軟樣品/相位成像 | OLTESPA-R3 , RFESPA-75 | SNL-10 , DNP-10 |
一般樣品 | TESPA-V2 , RTESPA-300 | SNL-10 , DNP-10 | |
快速掃描 | FASTSCAN-A | FASTSCAN-B,F(xiàn)ASTSCAN-C | |
接觸模式 | 一般成像 | SNL-10 ,DNP-10 , MLCT | SNL-10 ,DNP-10 , MLCT |
摩擦力顯微鏡 | ORC8-10, SNL-10, DNP-10 | ORC8-10, SNL-10, DNP-10 |
電磁學(xué)測(cè)量 | |
靜電力顯微鏡 | MESP-RC-V2, MESP-V2, SCM-PIT-V2 |
磁力顯微鏡 | MESP-RC-V2, MESP-V2 |
表面電勢(shì)測(cè)量 | PFQNE-AL, MESP-RC-V2, MESP-V2, OSCM-PT-R3, SCM-PIT-V2 |
導(dǎo)電原子力/隧穿原子力 | MESP-RC-V2 , MESP-V2, SCM-PtSi, OSCM- PT-R3, SCM-PIC-V2, SCM-PIT-V2 |
峰值力隧穿原子力顯微鏡 | PFTUNA, MESP-RC-V2, MESP-V2, SCM-PtSi, SCM-PIT-V2 |
掃描電容顯微鏡 | OSCM-PT-R3, SCM-PIC-V2, SCM-PIT-V2 |
掃描擴(kuò)散電阻顯微鏡 | SSRM-DIA, DDESP-V2 , DDESP-FM-V2 , OSCM-PT-R3, SCM-PtSi , SCM-PIT-V2 |
壓電力響應(yīng)顯微鏡 | DDESP-V2 , DDESP-FM-V2 , MESP-RC-V2 , MESP-V2, OSCM-PT-R3, SCM-PtSi, SCM-PIT-V2 |
生物樣品 | ||
生物小分子 | 一般成像 | MLCT, DNP, DNP-S |
高分辨 | SNL-10, Fastscan-D, AC40 | |
細(xì)胞 | 一般成像 | MLCT, DNP-10 |
力學(xué)測(cè)量 | MLCT, DNP-10, ScanAsyst-Fluid, PFQNM-LC | |
探針修飾 | 修飾小球 | NP-O10 |
修飾分子 | NPG-10 |
力學(xué)測(cè)量 | ||
楊氏模量(E) | 探針類型 | 彈性常數(shù)(K) |
1 Mpa | SNL-10; SCANASYST-AIR | 0.5N/m |
1 Mpa | SAA-HPl-30 | 0.25N/m |
5 Mpa | AD-2.8-AS ; AD-2.8-SS | 2.8N/m |
RTESPA-150 | 5NIm | |
10 Mpa | RTESPA-150-30 | 5NIm |
200 Mpa | AD-40-AS ; AD-40-SS | 40N/m |
RTESPA-300 | 40N/m | |
100 Mpa | RTESPA-300-30 | 40N/m |
1 Gpa | RTESPA-525 ; RTESPA-525-30 | 200N/m |
10 Gpa | DNISP-HS ; PDNISP-HS | 450N/m |
用于高分辨成像的超尖探針 | ||
Dimension Icon | 大氣環(huán)境 | ScanAsyst-Air-HPI, PeakForce-HiRs-SSB |
液下環(huán)境 | PeakForce-HiRs-F-B | |
Dimension Fastscan | 大氣環(huán)境 | PeakForce-HiRs-SSB*, PeakForce-HiRs-F-A |
液下環(huán)境 | Fastscan-D-SS |
*setpoint need to be around 100pN
探針選型指南
一、AFM探針簡介
每個(gè)探針都由三部分組成:tip(針尖),cantilever(懸臂梁),substrate(基片)
大部分材料都是硅或者氮化硅。
一般懸臂梁的形狀有:矩形和三角形、Special。
1)懸臂的主要參數(shù)有:spring constant(彈性系數(shù))、resonance frequency(共振頻率)、懸臂長度(寬度厚度等)、懸臂形狀、懸臂的鍍層、懸臂材料、懸臂梁的數(shù)目等;
2)針尖tip的主要參數(shù)有:tip radius、tip geometry、tip coating、tip height等;
3)不同的探針具體有不同的用途, 所以我們也從適合的樣品(sample)類型、適合的AFM機(jī)型(包括非Bruker品牌的afm機(jī)型)、適合的工作模式(work mode)、適合的應(yīng)用(application)對(duì)探針做了分類,可以在探針左邊的帥選欄里進(jìn)行相應(yīng)的篩選和查詢。
二、如何挑選AFM探針:
1)確認(rèn)待測(cè)物
如:高分子、無機(jī)物、細(xì)胞........
2)確認(rèn)AFM應(yīng)用模式
形貌、電性、液下成像、力曲線............
3)確認(rèn)掃描的精度
挑選合適探針針尖1nm、2nm、7nm、10nm........?
4)確認(rèn)共振頻率和彈性系數(shù)
取決于掃描速度、工作模式、待測(cè)物軟硬度等信息
注:目前網(wǎng)站中所展示的是較為常見的探針系列及型號(hào),除此以外的一些 bruker(布魯克)探針型號(hào),如:PFQNM-LC 、PEAKFORCE SECM 等,未在網(wǎng)站上進(jìn)行展示,如需提供報(bào)價(jià)或者具體參數(shù),請(qǐng)與我公司聯(lián)系,可見上方“聯(lián)系我們”。
三、以下是針對(duì)大部分探針系列的簡要說明:
關(guān)于不同系列探針后面的 A,AW,W;-HM,-HR,-LM 等標(biāo)識(shí)的說明,具體如下:
1)AD 系列探針,金剛石鍍層導(dǎo)電硅基探針,一盒 5 根。根據(jù)頻率和曲率半徑的不同,有不同的型號(hào)。
2)CDP 和 CDR 系列、EBD-CD 探針,主要用于 insight(全自動(dòng)原子力顯微鏡)機(jī)型上。
3)CLFC 系列探針,tipless
• CLFC-NOBO 和 CLFC-NOMB 探針,用來做 calibration,用其自身已知的懸臂 Kref(彈性系數(shù))值來校準(zhǔn)未知探針懸臂的 K 值。
• 要校準(zhǔn)的懸臂的彈性系數(shù)一般應(yīng)該在 0.3Kref
4)CONTV 系列的探針
• -A 表示一盒 10 根針,且懸臂背面有 Al 鍍層
• -AW 表示一個(gè) wafer,大概有 300-400 根針,且懸臂背面有 Al 鍍層
• -W 表示一個(gè) wafer,但懸臂背面無鍍層(no coating)
• 只寫了 CONTV,表示一盒 10 根針,但懸臂背面無鍍層(no coating)
• -PT 表示懸臂前面(含 tip)有 Ptlr 鍍層,導(dǎo)電
5)DDESP 系列和 DDLTESP-V2、DDRFESP40 探針,導(dǎo)電,有導(dǎo)電金剛石涂層 tip
6)DNISP 系列和 PDNISP、MDNISP-HS、NICT-MAP 探針,有手工制作的天然金剛石納米壓痕 tip,都可以做納米壓痕。
7)DNP 系列探針,每個(gè)型號(hào)懸臂背面都有 Gold 鍍層
• -10 表示一盒 10 根針且曲率半徑的標(biāo)稱值為 20nm
• DNP 后面啥數(shù)字沒有,表示一盒一個(gè) wafer,大概有 300-400 根針,且曲率半徑的標(biāo)稱值為 20nm
• -S10 表示一盒 10 根針且曲率半徑的標(biāo)稱值為 10nm
• DNP-S 后面啥數(shù)字沒有,表示一盒一個(gè) wafer,大概有 300-400 根針,且且曲率半徑的標(biāo)稱值為 10nm
8)ESP 系列的探針
• ESP 后面帶 A,表示一盒 10 根針,且懸臂背面有 Al 鍍層
• ESP 后面帶 AW 表示一個(gè) wafer,大概有 300-400 根針,且懸臂背面有 Al 鍍層
• ESP 后面帶 W 表示一個(gè) wafer,但懸臂背面無鍍層(no coating)
• 只寫了 ESP,表示一盒 10 根針,但懸臂背面無鍍層(no coating)
9)Fastscan 系列探針,專門用在 Dimension FASTSCAN 這個(gè) AFM 機(jī)型上
10)FESP 系列的探針
• FESP 后面帶 A,表示一盒 10 根針,且懸臂背面有 Al 鍍層
• FESP 后面帶 AW 表示一個(gè) wafer,大概有 300-400 根針,且懸臂背面有 Al 鍍層
• FESP 后面帶 W 表示一個(gè) wafer,但懸臂背面無鍍層(no coating)
• 只寫了 FESP,表示一盒 10 根針,但懸臂背面無鍍層(no coating)
11)FIB 系列的探針
• -A 是一盒 5 根,且懸臂背面有 Al 鍍層;否則就是一盒 5 根,但懸臂背面無鍍層(nocoating)
• 不同 AFM 機(jī)型對(duì)應(yīng)的有不同型號(hào)的 FIB 探針,具體請(qǐng)?jiān)?AFM 探針篩選中查詢
12)FMV 系列探針
• -A 表示一盒 10 根針,且懸臂背面有 Al 鍍層
• -AW 表示一個(gè) wafer,大概有 300-400 根針,且懸臂背面有 Al 鍍層
• -W 表示一個(gè) wafer,但懸臂背面無鍍層(no coating)
• 只寫了 FMV,表示一盒 10 根針,但懸臂背面無鍍層(no coating)
• -PT 表示表示懸臂前面(含 tip)有 Ptlr 鍍層,導(dǎo)電
13)HAR 系列探針
• -A-10 表示一盒 10 根針,且懸臂背面有 Al 鍍層
14)HMX 系列探針
• -10 表示表示一盒 10 根針,且懸臂背面有 Al 鍍層
• -W 表示一個(gè) wafer,且懸臂背面有 Al 鍍層
15)LTESP 系列探針
• -A 表示一盒 10 根針,且懸臂背面有 Al 鍍層
• -AW 表示一個(gè) wafer,大概有 300-400 根針,且懸臂背面有 Al 鍍層
• -W 表示一個(gè) wafer,但懸臂背面無鍍層(no coating)
• 只寫了 LTESP,表示一盒 10 根針,但懸臂背面無鍍層(no coating)
16)MESP 系列探針,導(dǎo)電,懸臂前面(含 tip)有 Magnetic CoCr 導(dǎo)電涂層
• -HM 表示高磁距 high moment
• -HR 表示高分辨高磁矩(high-resolution, high moment)
• -LM 表示 low moment
17)MLCT 系列
• -bio 和-bio-DC 是為生物樣品優(yōu)化的探針,tip 的形狀和高度跟 MLCT 不一樣,而且-bio-DC 有熱漂補(bǔ)償,因此對(duì)于細(xì)胞培養(yǎng)和溫度變化中測(cè)量的生物樣品,可以考慮用這款探針。
• MLCT-FB 的鍍層比 MLCT 厚,其他方面和 MLCT一樣。
• -O 表示沒有 tip。
• -UC 表示沒有鍍層。tip radius 是 20nm
18)MSCT 系列探針
• MSCT-MT-A 只有一個(gè)懸臂,只能在 innova 上用。
• -UC 表示沒有鍍層。MSCT 相比 MLCT 系列,針尖半徑(tip radius 為 10nm)更小。
19)MSNL 系列,比 MSCT 和 MLCT 系列的針尖半徑更小,只有 2nm。
20)MLCT/MSCT/MSNL 系列的探針,有鍍層的都是 reflection gold。
21)NCHV 系列,雖然參數(shù)和 rtesp-300 差不多,但其是性價(jià)比高的探針,只能做定性的分析,不能拿來做 QNM。
22)NCLV 系列探針也是性價(jià)比高的探針
23)NP 系列探針
• -10UC 表示一盒 10 根,且懸臂背面無鍍層
• -W-UC 表示一盒一個(gè) wafer,且懸臂背面無鍍層
• NP 后面跟“G”,表示懸臂前面和背面都有 Gold 鍍層;NPG 表示一盒一個(gè) wafer,大概 300-400 根NPG
• -10 表示一盒 10 根
• -O10 表示一盒 10 根,探針無針尖(tipless)且懸臂背面有 Gold 鍍層
• -OW 表示一盒一個(gè) wafer,探針無針尖(tipless)且懸臂背面有 Gold 鍍層
• NPV-10 表示一盒 10 根,且懸臂背面有 Gold 鍍層
24)OBL-10 探針,是不能調(diào)角度的,懸臂的傾角是±3°,不能裝在 Dimension afm 上。
25)PEAKFORCE-HIRS 系列探針,tip radius 只有 1nm, 而且頻率都是 100KHz 以上,可以做高分辨成像。
26)PFDT系列,專門用在有peakforce deep trench工作模式的Dimension icon機(jī)型上測(cè)Holes/Trenches
27)PFQNE-AL 探針,導(dǎo)電,是專門為 peakforce KPFM 模式優(yōu)化的探針。由于部分參數(shù)需要保密,目前可展示的參數(shù)不全
28)PT 系列是做 STM 模式用的探針
29)RESP 系列探針
• RESP 后面跟“A”,表示懸臂背面有 Al 鍍層,且一盒有 10 根
• RESP 后面跟“AW”,表示懸臂背面有 Al 鍍層,且一盒有一個(gè) wafer,大概 300-400根
• RESP 后面跟“ ”,表示懸臂背面無鍍層,且一盒有 10 根
• -10 表示共振頻率是 10KHz
• -20 表示共振頻率是 20KHz
• -40 表示工作頻率是 40KHz
30)RFESP 系列探針
• RFESP 后面跟“A”,表示懸臂背面有 Al 鍍層,且一盒有 10 根
• RFESP 后面跟“AW”,表示懸臂背面有 Al 鍍層,且一盒有一個(gè) wafer,大概 300-400根
• RFESP 后面跟“ ”,表示懸臂背面無鍍層,且一盒有 10 根
• -190 表示共振頻率是 190KHz
• -75 表示共振頻率是 75KHz
• -40 表示工作頻率是 40KHz
31)RMN 系列探針,導(dǎo)電
• 固體金屬(Solid Metal)探針,有優(yōu)良的導(dǎo)電性,并且不會(huì)出現(xiàn)金屬涂層硅探針?biāo)a(chǎn)生的薄膜粘附問題。
• 根據(jù)不同的應(yīng)用對(duì)應(yīng)有不同的型號(hào)可以選擇
32)RTESP 系列探針
• RTESP 后面跟“A”,表示懸臂背面有 Al 鍍層,且一盒有 10 根
• RTESP 后面跟“AW”,表示懸臂背面有 Al 鍍層,且 一盒有一個(gè) wafer,大概 300-400 根
• RTESP 后面跟“ ”,表示懸臂背面無鍍層,且一盒有 10 根
• -150 表示共振頻率是 150KHz,-150-30 屬于預(yù)校準(zhǔn)探針,表示共振頻率是 150KHz,且曲率半徑是 30nm
• -300 表示共振頻率是 300KHz;-300-30 屬于預(yù)校準(zhǔn)探針,表示共振頻率是 300KHz,且曲率半徑是 30nm
• -525 表示工作頻率是 525KHz;-525-30 屬于預(yù)校準(zhǔn)探針,表示共振頻率是 525KHz,且曲率半徑是 30nm
33)SAA-HPI 系列 探針,
• -30 表示是預(yù)校準(zhǔn)探針,曲率半徑為 30nm
• -SS 表示超尖探針,曲率半徑的標(biāo)稱值為 1nm
預(yù)校準(zhǔn)的探針有:
• SAA-HPI-30: 0.25N/m, k certified, controlled end radius, 一盒5根
• RTESPA-150-30: 5N/m, k certified, controlled end radius, 一盒5根
• RTESPA-300-30: 40N/m, k certified, controlled end radius, 一盒5根
• RTESPA-525-30: 200N/m, k certified, controlled end radius,一盒5根
34)SCANASYST 系列探針,
專門為 SCANASYST(智能模式)優(yōu)化的探針
35)SCM 系列探針,導(dǎo)電,懸臂前面(含 tip)有 Conductive PtIr 或Conductive PtSi 鍍層
36)SMIM 系列探針,導(dǎo)電
37)SNL 系列探針,
• -10 表示一盒 10 根;
• -W 表示一盒一個(gè) wafer,大概 300-400 根
38)SSRM-DIA 探針,導(dǎo)電
39)TESP 系列探針
• TESP 后面跟后面跟“A”,表示懸臂背面有 Al 鍍層,且一盒有 10 根
• TESP 后面跟“AW”,表示懸臂背面有 Al 鍍層,且一盒有一個(gè) wafer,大概 300-400根
• TESP 后面跟“D”,表示 DLC 涂層硅探針,其表面硬化類的金剛石(DLC)涂層,目的是為了增加 tip 壽命,且一盒 10 根
• TESP 后面跟“DW”,表示 DLC 涂層硅探針,其表面硬化類金剛石(DLC,Diamond-LikeCarbon)涂層,目的是為了增加 tip 壽命,且一盒一個(gè) wafer
• TESP 后面跟“ ”,表示懸臂背面無鍍層,且一盒有 10 根
• -HAR 表示具有高縱橫比(HAR)探針,是具有高/深幾何形狀的樣品在進(jìn)行 tapping 模式成像下的理想選擇。
• -V2 表示高質(zhì)量、新設(shè)計(jì)的探針
• -SS 表示超尖針尖,針尖曲率半徑標(biāo)稱值為 2nm,且一盒 10 根
• -SSW 表示超尖針尖,針尖曲率半徑標(biāo)稱值為 2nm,且一盒一個(gè) wafer
40)VITA 系列探針,做熱分析或者做掃描熱分析的探針,具體可以通過探針網(wǎng)站搜索對(duì)應(yīng) 的型號(hào)和參數(shù)、適合的 AFM 機(jī)型等信息。
41)VTESP 系列探針
是 visible apex 形狀的探針,tip 在懸臂前端,可以用來定位。 OLTESPA-R3,OSCM-PT -R3(導(dǎo)電探針)和 OTESPA-R3,VTESP 系列探針是 visible apex 形狀的探針,tip 在懸臂前端,可以用來定位。
• VTESP 后面跟“A”,表示懸臂背面有 Al 鍍層
• -300 表示共振頻率為 300KHz
• -70 表示共振頻率為 70KHz
• -300(或-70)后面有“-W”,表示一盒一個(gè) wafer
• -300(或-70)后面有“ ”,表示一盒 10 根